Si stima che il mercato dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) supererà i 14,9 miliardi di dollari a un CAGR dell’8,3% durante il periodo di previsione dal 2023 al 2033.

Si prevede che il valore di mercato dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) nel Regno Unito aumenterà del CAGR dell'8,1% e raggiungerà i 522,2 milioni di dollari durante il periodo di previsione. Lo sviluppo del mercato della regione è attribuibile all’aumento delle vendite di veicoli elettrici e ibridi, nonché alla crescente tendenza all’elettrificazione e all’aumento dei prezzi della benzina nel Regno Unito.

NEWARK, Del, 9 maggio 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- La dimensione globale del mercato dei transistor bipolari a gate isolato sarà probabilmente valutata a 6,7 ​​miliardi di dollari nel 2023. La crescente applicazione di transistor bipolari a gate isolato tecnologicamente migliorati in vari settori sta guidando Crescita del mercato. Si stima che il mercato raccoglierà 14,9 miliardi di dollari nel 2033, registrando un CAGR dell’8,3% dal 2023 al 2033.

Si prevede che il mercato globale dei transistor bipolari a gate isolato continuerà a crescere durante il periodo di previsione, trainato dalla crescente domanda da parte della produzione industriale e dell’elettronica di consumo.

Uno dei fattori che spingono la crescita del mercato dei transistor bipolari a gate isolato include la crescente domanda di alternative MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) con maggiore compatibilità con tensione e corrente.

Il transistor bipolare a gate isolato (IGBT) sta guadagnando popolarità nell'elettronica di consumo grazie alla sua capacità di ridurre la perdita di commutazione e diminuire lo stress termico sugli apparecchi elettrici. I transistor bipolari a gate isolato sono utilizzati nel microonde, nei sistemi stereo e nei frigoriferi a velocità variabile e si prevede che guideranno la crescita del mercato durante il periodo di previsione

Trova un riepilogo del rapporto che descriva le dimensioni e le previsioni del mercato. Il rapporto di esempio è disponibile in formato PDF @https://www.futuremarketinsights.com/reports/sample/rep-gb-477

I crescenti investimenti nell’elettrificazione in Europa e Nord America probabilmente aumenteranno la domanda di transistor bipolari a gate isolato. Si prevede che i crescenti progressi tecnologici nel settore automobilistico e l’aumento delle vendite di veicoli elettronici nelle economie emergenti come India e Cina guideranno la crescita del mercato dei transistor bipolari a gate isolato durante il periodo di previsione.

Le crescenti applicazioni nel settore dell’energia eolica e solare hanno creato opportunità di crescita del mercato. Si prevede che la crescente domanda di fonti energetiche rinnovabili guiderà la crescita del mercato durante il periodo di previsione.

Punti chiave:

Sulla base della potenza nominale, il segmento ad alta potenza rappresenta un CAGR del 8,6%.

Per tipologia, si prevede che il segmento dei moduli IGBT si espanderà a un CAGR del 8,9% durante il periodo di previsione.

Il Nord America emergerà come un mercato promettente, con un CAGR dell’8,3%.

L'Asia Pacifico è un mercato opportunistico, si prevede che realizzerà un CAGR dell'8,0% durante il periodo di previsione.

"Si prevede che la crescente domanda nel settore degli usi finali e l'innovazione tecnologica nei transistor bipolari a gate isolato guideranno il mercato nel periodo di previsione. Si prevede che la crescente domanda per l'industria automobilistica e l'aumento delle vendite di veicoli elettrici a livello globale giocheranno un ruolo vitale in rafforzare il mercato", suggerisce un analista del FMI.

Panorama competitivo:

I principali attori nel mercato dei transistor bipolari a gate isolato sono Infineon Technologies AG; NXP Semiconductors NV; Microchip Technology, Inc.; Microsemi Corporation; Fuji Electric Co., Ltd. tra gli altri. Alcuni dei recenti sviluppi nel mercato sono elencati di seguito.

Nell'ottobre 2020 - Microchip Technology Inc. ha annunciato l'acquisizione di Tekron International Limited, leader globale nella fornitura di tecnologie e soluzioni di cronometraggio GPS e orologio atomico ad alta precisione per la rete intelligente e altre applicazioni industriali.

Nel giugno 2021 – NXP Semiconductors NV, leader mondiale nell'elaborazione automobilistica, e TSMC hanno annunciato il rilascio dei processori di rete per veicoli S32G2 di NXP e del processore radar S32R294 nella produzione in volumi sull'avanzata tecnologia di processo FinFET a 16 nanometri (nm) di TSMC.