Transistor bipolari a gate isolato e transistor ad effetto di campo a ossido di metallo Mercato 2023 Prospettive future: tendenze emergenti e attori chiave

Esplorazione del mercato dei transistor bipolari a gate isolato e dei transistor a effetto di campo a ossido di metallo dal 2023 al 2030: uno studio approfondito

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✤ Principali attori chiave:

Fairchild Semiconductor International Inc

STMicroelettronica

ABB Ltd

Hitachi Power Semiconductor Device Ltd

Società Toshiba

Mitsubishi Electric Corporation

Infineon Technologies AG

✤Segmentazione del mercato:

Mercato dei transistor bipolari a gate isolato e dei transistor a effetto di campo a ossido di metallo:

MercatoPer tipoIGBT discreto

Modulo IGBT

Energia e potenza

MercatoPer applicazioneElettronica di consumo

Invertitore e gruppo di continuità

Veicolo elettrico

Sistema industriale

Altri (Dispositivi medici e trazione)

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Principali regioni e paesi citati nel rapporto sul mercato Transistor bipolari a gate isolato e transistor a effetto di campo a ossido di metallo: